| 低噪声放大器 |
单端单管低噪声放大器
单端级联低噪声放大器
带自动增益控制(AGC)性能的低噪声放大器 |
| 混频器 |
无源混频器
有源混频器
设计方案 |
| 差分对 |
为什么需要差分对
可以用一个电容来隔离直流偏置吗
差分对电路的基本原理
CMRR(共模抑制比) |
| 射频巴仑 |
变压器巴仑
LC巴仑
微带线巴仑
混合巴仑 |
| 调谐滤波器 |
通信系统中的调谐滤波器
两个谐振回路间的耦合
电路描述
第二耦合的效果
性能 |
| 压控振荡器 |
“三点”式振荡器
其他单端振荡器
压控振荡器与锁相环
单端VCO的设计实例
差分VCO与四相制VCO |
| 功率放大器 |
功率放大器的分类
单端型功率放大器设计
单端型功率放大器集成电路设计
推挽式功率放大器设计
带温度补偿的功率放大器
带输出功率控制的功率放大器
线性功率放大器 |
| 射频电路设计和数字电路设计的不同方法 |
数模两类电路的分歧
通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
结论
高速数字电路设计的注意点 |
| 电压与功率传输 |
电压从源传输到负载
功率从源传输到负载
阻抗共轭匹配
阻抗匹配的附加作用 |
| 窄带阻抗匹配 |
借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
由单个元件构成的阻抗匹配网络
两个元件构成的阻抗匹配网络
由三个元件构成的阻抗匹配网络 |
| 电压与功率传输 |
电压从源传输到负载
功率从源传输到负载
阻抗共轭匹配
阻抗匹配的附加作用
当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配
阻抗匹配网络中的元件
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| 宽带阻抗匹配 |
史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
宽带阻抗匹配网络的讨论
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| 器件的阻抗和增益 |
密勒效应
双极晶体管的小信号模型
CE(共射)结构的双极晶体管
CB(共基)结构的双极晶体管
CC(共集)结构的双极晶体管
MOSFET晶体管的小信号模型
双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点
CS(共源)结构的MOSFET晶体管
CG(共栅)结构的MOSFET晶体管
CD(共漏)结构的MOSFET晶体管
不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较
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| 阻抗测量 |
标量电压测量与矢量电压测量
采用网络分析仪直接测量阻抗
用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法
借助环形器进行阻抗测量
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| 接地 |
接地的含义
隐藏在原理图中可能的接地问题
不良或不合适的接地举例
“零”电容
波长微带线
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| 接地面的等势性和电流耦合 |
接地面的等势性
前向和反向电流耦合
具有多层金属层的PCB或IC芯片
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| 射频集成电路(RFIC)与片上系统(SoC) |
干扰和隔离
使用金属盒屏蔽射频模块
发展射频集成电路的强烈需求
沿着集成电路衬底传输的干扰信号
抑制来自外部空间的干扰的方法
在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则
射频集成电路设计中遇到的瓶颈
片上系统的前景
下一个是什么
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| 产品设计的可制造性 |
6σ设计的含义
逼近6σ设计
蒙特卡洛分析
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| 射频电路设计中的主要参量与系统分析 |
功率增益
噪声
非线性
其他参量
射频系统分析示例
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